Распиновка оптопары PC817
Оптопара PC817 (DIP-4) · PC817 · логика 5 В · 5,62×9,7 мм · 4 пина
сверено20.10.2026
Вид сверху, точка у вывода 1 слева внизу: 1 анод и 2 катод снизу, 3 эмиттер и 4 коллектор сверху (4 над 1), на рисунке плата повёрнута на 90°.
Скачать PNG- Чип
- PC817
- Логика
- 5 В
Важно
- Вход: светодиод (1 анод, 2 катод), прямое падение 1,2 В. Ток 5-20 мА через резистор: R = (Vпит − 1,2) / I. Без резистора светодиод сгорит, конструктор ставит ошибку.
- Выход: фототранзистор (4 коллектор, 3 эмиттер). Для сигнала на GPIO: эмиттер на землю второй цепи, коллектор на GPIO с подтяжкой к её питанию (INPUT_PULLUP или 4,7-10 кОм). Светодиод горит: на GPIO LOW.
- Коэффициент передачи CTR 50-600 % при 5 мА: при входе 5 мА выход надёжно тянет от 2,5 мА. Буква после PC817 (A, B, C, D) задаёт диапазон CTR.
- Оптопара медленная: включение и выключение порядка 4-18 мкс. Для ШИМ выше нескольких кГц и для I2C она не годится.
- Земли двух сторон не соединять: в этом смысл развязки (модуль реле, вход 220 В через резистор и диод, гальваническая развязка датчика).
- Светодиод входа питается через резистор от GPIO: при 3,3 В и 5 мА около 390 Ом, при 5 В и 10 мА около 390 Ом.
Ревизии и клоны
- PC817 в SMD (PC817XxNIP1B, «C817» на корпусе): тот же порядок выводов.
- PC847 и подобные: четыре оптопары в DIP-16, порядок другой.
- Аналоги EL817 (Everlight), LTV-817 (Lite-On), KP1010: тот же порядок, CTR и скорость по их даташитам.
Все пины
| Подпись | Номер | Функции | Ограничения | Сверка |
|---|---|---|---|---|
| A | вывод 1 | Анод светодиода: от GPIO через резистор | свереноНа других ревизиях подписан: Anode, 1 | |
| K | вывод 2 | Катод светодиода: на GND | свереноНа других ревизиях подписан: Cathode, 2 | |
| E | вывод 3 | Эмиттер фототранзистора: к земле второй цепи | свереноНа других ревизиях подписан: Emitter, 3 | |
| C | вывод 4 | Коллектор фототранзистора: к входу через подтяжку | свереноНа других ревизиях подписан: Collector, 4 |
Источники
Все пины сверены по документам производителя.
- Sharp PC817XxNSZ1B Series (OP18002EN, 15.01.2018)даташит · сверено 20.10.2026DIP-4: 1 Anode, 2 Cathode, 3 Emitter, 4 Collector; IF до 50 мА, VR 6 В; VF 1,2 В тип., 1,4 В макс. при 20 мА; VCEO 80 В, IC 50 мА, PC 150 мВт; CTR 50-600 % при IF 5 мА и VCE 5 В; развязка 5 кВ
Размер: корпус DIP-4 4,6×6,5 мм, шаг 2,54, ряды через 7,62 (приблизительно).



