Распиновка транзистора КТ817
Транзистор КТ817 (n-p-n, 3 А, корпус КТ-27) · КТ817 · логика 5 В · 7,8×23 мм · 3 пина
сверено частично20.10.2026
Вид на сторону с маркировкой, отверстие сверху, выводы вниз: 1 Э, 2 К, 3 Б слева направо.
Скачать PNG- Чип
- КТ817
- Логика
- 5 В
Важно
- Ключ нижнего плеча: Э на GND, нагрузка между плюсом и К, Б через резистор к GPIO. Ток базы нужен большой: при h21э от 25 для 1 А нагрузки база берёт 40 мА, а GPIO даёт 20 мА. Для токов больше 0,3-0,5 А от GPIO брать составной транзистор (КТ829, TIP120) или MOSFET логического уровня (IRLZ44N).
- Резистор базы от 3,3 В: (3,3 − 0,7) / 0,015 ≈ 170 Ом для тока базы 15 мА, этого хватает примерно на 375 мА нагрузки при h21э 25.
- Без радиатора до 1 Вт: при насыщении 0,5-1 В это около 1-2 А. Металлическая сторона корпуса соединена с коллектором, радиатор через прокладку.
- Напряжение по букве: А 25-40 В, Б 45 В, В 60 В, Г 80-90 В (источники расходятся, брать меньшее).
- Пара p-n-p: КТ816 в том же корпусе. Зарубежные аналоги: BD139 (тот же порядок Э-К-Б), TIP31 (другой корпус и порядок).
Ревизии и клоны
- КТ817 в КТ-28 (TO-220) у некоторых заводов: порядок выводов сверять по документу.
- КТ815 (1,5 А) и КТ819 (10 А): похожие n-p-n, корпуса и порядок у каждого свой.
Все пины
| Подпись | Номер | Функции | Ограничения | Сверка |
|---|---|---|---|---|
| Э | вывод 1 | Эмиттер: на GND | не по производителюДокумента завода в сети не нашёл: порядок 1 Э, 2 К, 3 Б по чертежу из справочника. Напряжение КТ817А у источников 25 или 40 В, у КТ817Г 80 или 90 В: в данных взято меньшее. Перед пайкой прозвонить.На других ревизиях подписан: E, эмиттер, 1 | |
| К | вывод 2 | Коллектор: минус нагрузки (и металлическая сторона) | не по производителюДокумента завода в сети не нашёл: порядок 1 Э, 2 К, 3 Б по чертежу из справочника. Напряжение КТ817А у источников 25 или 40 В, у КТ817Г 80 или 90 В: в данных взято меньшее. Перед пайкой прозвонить.На других ревизиях подписан: C, коллектор, 2 | |
| Б | вывод 3 | База: через резистор к GPIO | не по производителюДокумента завода в сети не нашёл: порядок 1 Э, 2 К, 3 Б по чертежу из справочника. Напряжение КТ817А у источников 25 или 40 В, у КТ817Г 80 или 90 В: в данных взято меньшее. Перед пайкой прозвонить.На других ревизиях подписан: B, база, 3 |
Источники
Не сверено по производителю: 3 пина из 3. У таких пинов в карточке написано, чем они подтверждены и где источники расходятся.
- RadioLibrary: Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г (чертёж корпуса и назначение выводов)сторонний источник · сверено 20.10.2026чертёж: корпус 7,8×10,8×2,8 мм, выводы 16 мм, 1 Э, 2 К, 3 Б; n-p-n; Iк 3 А (импульс 6 А); Pк 1 Вт без теплоотвода, 25 Вт с теплоотводом; h21э 25-275; fгр от 3 МГц; Uкэ: А 40, Б 45, В 60, Г 90 В (импульсное)
Размер: корпус КТ-27 7,8×10,8×2,8 мм, выводы 16 мм укорочены, шаг 2,3 мм (нарисованы на 2,54) (приблизительно).
